Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/342229Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Бринкевич, С.Д. | - |
| dc.contributor.author | Гринюк, Е.В. | - |
| dc.contributor.author | Бринкевич, Д.И. | - |
| dc.contributor.author | Свердлов, Р.Л. | - |
| dc.contributor.author | Просолович, В.С. | - |
| dc.contributor.author | Петлицкий, А.Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2026-02-20T08:39:43Z | - |
| dc.date.available | 2026-02-20T08:39:43Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | - |
| dc.identifier.citation | Журнал прикладной спектроскопии. – 2020. – Т. 87, № 4. – С. 589-594 | ru |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/342229 | - |
| dc.description.abstract | Методом ИК-Фурье-спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения исследованы радиационно-индуцированные процессы, протекающие при имплантации ионов бора и фосфора в пленки позитивного диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 на кремнии. Установлено, что усиление адгезии резиста к монокристаллическому кремнию обусловлено образованием сложноэфирных сшивок между гидроксильными группами на поверхности оксидного слоя кремниевой пластины и карбоксильной группой 1-Н-инден-3-карбоновой кислоты. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | ru |
| dc.title | Механизм адгезионного взаимодействия пленок диазохинон-новолачного фоторезиста с монокристаллическим кремнием | ru |
| dc.title.alternative | Mechanism of adhesive interaction of diazoquinone-novolac photoresist films with monocrystalline silicon | ru |
| dc.type | article | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| dc.description.alternative | Radiation-induced processes taking place at boron and phosphorus ions implantation in the positive FN9120 diazoquinon-novoloc photoresist films on silicon were studied by the method of IR- Fourier spectroscopy of frustrated total internal reflection. It was established, that strengthening of photoresist adhesion to monocrystalline silicon is caused by the formation of ester linkages between hydroxyl groups on the surface of oxide layer of silicon wafer and carboxylic groups of 1H-inden-3-carbohylic acid. | ru |
| dc.identifier.orcid | 0000-0002-3407-3940 | ru |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Бринкевич3.pdf | 312,66 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.