Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/339316| Заглавие документа: | Накопление радиационных дефектов в p+–n-диодах облученных ионами гелия |
| Авторы: | Задора, А.О. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | 82-я научная конференция студентов и аспирантов Белорусского государственного университета [Электронный ресурс] : материалы конф., Минск, 15–23 мая 2025 г. В 3 ч. Ч. 1 / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. В. Блохин (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 297–301. |
| Аннотация: | В работе рассмотрено влияние последовательного облучения высокоэнергетичными ионами гелия на p+-n-диоды энергиями 4,1 МэВ и 6,8 МэВ при флюенсах 10^10 см-2 и 10^11 см-2 на частотные зависимости импеданса при положительных напряжениях. Получены зависимости действительной и мнимой частей импеданса от частоты, годографы импеданса, отражающие накопление радиационных дефектов. Установлено, что последовательное облучение высокоэнергетичными ионами гелия приводит к формированию радиационно-нарушенного слоя и его влиянием на импеданс можно целенаправленно управлять, варьируя энергию и флюенс облучения. |
| Доп. сведения: | Научный руководитель данного исследования — Н. И. Горбачук, кандидат физико-математических наук, доцент. |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/339316 |
| ISBN: | 978-985-881-815-9 (ч. 1) 978-985-881-814-2 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| А.О.Задора_82 Науч конф студ и аспирантов 2025.pdf | 835,89 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.