Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/339316
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЗадора, А.О.-
dc.date.accessioned2025-12-22T19:14:39Z-
dc.date.available2025-12-22T19:14:39Z-
dc.date.issued2025-
dc.identifier.citation82-я научная конференция студентов и аспирантов Белорусского государственного университета [Электронный ресурс] : материалы конф., Минск, 15–23 мая 2025 г. В 3 ч. Ч. 1 / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. В. Блохин (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 297–301.ru
dc.identifier.isbn978-985-881-815-9 (ч. 1)-
dc.identifier.isbn978-985-881-814-2-
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/339316-
dc.descriptionНаучный руководитель данного исследования — Н. И. Горбачук, кандидат физико-математических наук, доцент.ru
dc.description.abstractВ работе рассмотрено влияние последовательного облучения высокоэнергетичными ионами гелия на p+-n-диоды энергиями 4,1 МэВ и 6,8 МэВ при флюенсах 10^10 см-2 и 10^11 см-2 на частотные зависимости импеданса при положительных напряжениях. Получены зависимости действительной и мнимой частей импеданса от частоты, годографы импеданса, отражающие накопление радиационных дефектов. Установлено, что последовательное облучение высокоэнергетичными ионами гелия приводит к формированию радиационно-нарушенного слоя и его влиянием на импеданс можно целенаправленно управлять, варьируя энергию и флюенс облучения.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleНакопление радиационных дефектов в p+–n-диодах облученных ионами гелияru
dc.typearticleru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
Располагается в коллекциях:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи)

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
А.О.Задора_82 Науч конф студ и аспирантов 2025.pdf835,89 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.