Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/338433| Title: | Ионное травление фенолформальдегидных фоторезистов для обратной литографии |
| Authors: | Абрамов, С. А. Бринкевич, Д. И. Просолович, В. С. Зубова, О. А. Черный, В. В. Вабищевич, С. А. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2025 |
| Citation: | Приборостроение – 2025 : материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13-15 ноября 2025 года, Минск. - С. 222-223 |
| Abstract: | Методами отражательно-абсорбционной ИК-Фурье-спектроскопии, рентгеноспектрального микроанализа и индентирования исследованы пленки негативных фоторезистов (ФР) KMP E3502, AZ nLOF 2020, 2070 и 5510 толщиной 0,9–6,0 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. Ионное травление приводило к увеличению микротвердости структур ФР/кремний, обусловленному сшиванием молекул фоторезиста. Существенной трансформации отражательно-абсорбционных спектров не наблюдалось. Имело место только смещение максимума первой интерференционной полосы в высокоэнергетическую область, обусловленное уменьшением толщины пленки. Экспериментальные данные объяснены с учетом сшивания молекул и конформационных изменений в структуре основного компонента ФР при ионном травлении; ориентацией молекул вблизи границы раздела ФР/Si и наличием в пленках остаточного растворителя |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/338433 |
| Sponsorship: | Работа выполнена в рамках задания 2.16 Государственной программы научных исследований «Материаловедение, новые материалы и технологии», подпрограмма «Наноструктурные материалы, нанотехнологии, нанотехника («Наноструктура»)». |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Прибор-2025 222-223.pdf | 453,69 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.