Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/338433Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Абрамов, С. А. | - |
| dc.contributor.author | Бринкевич, Д. И. | - |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Зубова, О. А. | - |
| dc.contributor.author | Черный, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Вабищевич, С. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2025-12-05T12:48:01Z | - |
| dc.date.available | 2025-12-05T12:48:01Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | - |
| dc.identifier.citation | Приборостроение – 2025 : материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13-15 ноября 2025 года, Минск. - С. 222-223 | ru |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/338433 | - |
| dc.description.abstract | Методами отражательно-абсорбционной ИК-Фурье-спектроскопии, рентгеноспектрального микроанализа и индентирования исследованы пленки негативных фоторезистов (ФР) KMP E3502, AZ nLOF 2020, 2070 и 5510 толщиной 0,9–6,0 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. Ионное травление приводило к увеличению микротвердости структур ФР/кремний, обусловленному сшиванием молекул фоторезиста. Существенной трансформации отражательно-абсорбционных спектров не наблюдалось. Имело место только смещение максимума первой интерференционной полосы в высокоэнергетическую область, обусловленное уменьшением толщины пленки. Экспериментальные данные объяснены с учетом сшивания молекул и конформационных изменений в структуре основного компонента ФР при ионном травлении; ориентацией молекул вблизи границы раздела ФР/Si и наличием в пленках остаточного растворителя | ru |
| dc.description.sponsorship | Работа выполнена в рамках задания 2.16 Государственной программы научных исследований «Материаловедение, новые материалы и технологии», подпрограмма «Наноструктурные материалы, нанотехнологии, нанотехника («Наноструктура»)». | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Ионное травление фенолформальдегидных фоторезистов для обратной литографии | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Прибор-2025 222-223.pdf | 453,69 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.