Стоковые характеристики силовых МОП-транзисторов с диэлектриком, азотированным ионной имплантацией

Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Янковский, Ю. Н.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/324178

Title:	Стоковые характеристики силовых МОП-транзисторов с диэлектриком, азотированным ионной имплантацией
Authors:	Оджаев, В. Б. Петлицкий, А. Н. Просолович, В. С. Ковальчук, Н. С. Черный, В. В. Шестовский, Д. В. Янковский, Ю. Н.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2024
Citation:	Приборостроение – 2024 = Instrumentation Еngineering – 2024 : материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26–29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / М-во образования Республики Беларусь [и др. ; редкол.: А. И. Свистун (пред.) и др.]. - Минск : БНТУ, 2024. - С. 241-242
Abstract:	Исследовано влияние азотирования подзатворного оксида методом ионной имплантации на вольтамперные характеристики силовых МОП-транзисторов. Установлено, что в диапазоне напряжений на затворе VG = 0,5…–1,5 В происходит снижение тока сток-исток p-канальных МОП-транзисторов по сравнению с контрольными образцами. Указанный эффект наиболее ярко выражен для прямого порядка быстрой термообработки, что, вероятно, связанно с увеличением концентрации легирующей примеси в канале МОП-транзистора вследствие изменения коэффициента сегрегации фосфора границей раздела SiO2/Si, обогащенной атомами азота. Для обратного порядка термообработки уменьшение величины тока сток-исток в подпороговой области вольт-амперной характеристики менее ярко выраженно по сравнению с прямым порядком.
Abstract (in another language):	The effect of nitriding of the sub-gate oxide by ion implantation on the volt-ampere characteristics of power MOSFETs has been studied. It is found that in the range of gate voltage VG = 0.5…–1.5 V the drain-source current of p-channel MOSFETs decreases in comparison with control samples. This effect is most pronounced for the direct order of rapid heat treatment, which is probably associated with an increase in the dopant concentration in the MOSFET channel due to changes in the phosphorus segregation coefficient by the SiO2/Si interface enriched with nitrogen atoms. For the reverse order of heat treatment, the decrease in the value of the drain-source current in the subthreshold region of the volt-ampere characteristic is less pronounced compared to the direct order. Keywords: power MOSFETs, ion implantation, drain-source current, segregation factor.
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/324178
Licence:	info:eu-repo/semantics/openAccess
Appears in Collections:	Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи)

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Доклады конф. БНТУ 2024 241-242.pdf		499,85 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar