Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/324178Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Оджаев, В. Б. | - |
| dc.contributor.author | Петлицкий, А. Н. | - |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Ковальчук, Н. С. | - |
| dc.contributor.author | Черный, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Шестовский, Д. В. | - |
| dc.contributor.author | Янковский, Ю. Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2025-01-10T13:51:19Z | - |
| dc.date.available | 2025-01-10T13:51:19Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Приборостроение – 2024 = Instrumentation Еngineering – 2024 : материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26–29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / М-во образования Республики Беларусь [и др. ; редкол.: А. И. Свистун (пред.) и др.]. - Минск : БНТУ, 2024. - С. 241-242 | ru |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/324178 | - |
| dc.description.abstract | Исследовано влияние азотирования подзатворного оксида методом ионной имплантации на вольтамперные характеристики силовых МОП-транзисторов. Установлено, что в диапазоне напряжений на затворе VG = 0,5…–1,5 В происходит снижение тока сток-исток p-канальных МОП-транзисторов по сравнению с контрольными образцами. Указанный эффект наиболее ярко выражен для прямого порядка быстрой термообработки, что, вероятно, связанно с увеличением концентрации легирующей примеси в канале МОП-транзистора вследствие изменения коэффициента сегрегации фосфора границей раздела SiO2/Si, обогащенной атомами азота. Для обратного порядка термообработки уменьшение величины тока сток-исток в подпороговой области вольт-амперной характеристики менее ярко выраженно по сравнению с прямым порядком. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Стоковые характеристики силовых МОП-транзисторов с диэлектриком, азотированным ионной имплантацией | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| dc.description.alternative | The effect of nitriding of the sub-gate oxide by ion implantation on the volt-ampere characteristics of power MOSFETs has been studied. It is found that in the range of gate voltage VG = 0.5…–1.5 V the drain-source current of p-channel MOSFETs decreases in comparison with control samples. This effect is most pronounced for the direct order of rapid heat treatment, which is probably associated with an increase in the dopant concentration in the MOSFET channel due to changes in the phosphorus segregation coefficient by the SiO2/Si interface enriched with nitrogen atoms. For the reverse order of heat treatment, the decrease in the value of the drain-source current in the subthreshold region of the volt-ampere characteristic is less pronounced compared to the direct order. Keywords: power MOSFETs, ion implantation, drain-source current, segregation factor. | ru |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Доклады конф. БНТУ 2024 241-242.pdf | 499,85 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.