Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/306976| Заглавие документа: | Импеданс дефектных слоев кремния, сформированных в структурах Al/SiO2/n-Si облучением высокоэнергетичными ионами гелия |
| Авторы: | Горбачук, Н. И. Поклонский, Н. А. Ермакова, Е. А. Шпаковский, С. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2023 |
| Издатель: | Минск : А.Н. Вараксин |
| Библиографическое описание источника: | Актуальные проблемы физики твердого тела: cб. тез. X Междунар. науч. конф., Минск, 22–26 мая 2023 г. / ГО «НПЦ НАН Беларуси по материаловедению»; редкол.: В.М. Федосюк (пред.) [и др.]. – Минск: А.Н. Вараксин, 2023. – С. 287 |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/306976 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| APFTT287.pdf | 1,21 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.