Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/306976Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Горбачук, Н. И. | - |
| dc.contributor.author | Поклонский, Н. А. | - |
| dc.contributor.author | Ермакова, Е. А. | - |
| dc.contributor.author | Шпаковский, С. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2023-12-20T14:26:49Z | - |
| dc.date.available | 2023-12-20T14:26:49Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | - |
| dc.identifier.citation | Актуальные проблемы физики твердого тела: cб. тез. X Междунар. науч. конф., Минск, 22–26 мая 2023 г. / ГО «НПЦ НАН Беларуси по материаловедению»; редкол.: В.М. Федосюк (пред.) [и др.]. – Минск: А.Н. Вараксин, 2023. – С. 287 | ru |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/306976 | - |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : А.Н. Вараксин | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Импеданс дефектных слоев кремния, сформированных в структурах Al/SiO2/n-Si облучением высокоэнергетичными ионами гелия | ru |
| dc.type | conference abstract | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| APFTT287.pdf | 1,21 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.