Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/306976| Title: | Импеданс дефектных слоев кремния, сформированных в структурах Al/SiO2/n-Si облучением высокоэнергетичными ионами гелия |
| Authors: | Горбачук, Н. И. Поклонский, Н. А. Ермакова, Е. А. Шпаковский, С. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2023 |
| Publisher: | Минск : А.Н. Вараксин |
| Citation: | Актуальные проблемы физики твердого тела: cб. тез. X Междунар. науч. конф., Минск, 22–26 мая 2023 г. / ГО «НПЦ НАН Беларуси по материаловедению»; редкол.: В.М. Федосюк (пред.) [и др.]. – Минск: А.Н. Вараксин, 2023. – С. 287 |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/306976 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| APFTT287.pdf | 1,21 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.