Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/305238
Заглавие документа: | Radiation-Induced Alteration of the Reflection Spectra of Diazoquinone–Novolac Photoresist Films by Implantation of Ag+ Ions |
Авторы: | Kharchenko, A. A. Brinkevich, D. I. Brinkevich, S. D. Prosolovich, V. S. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Химия |
Дата публикации: | 14-июл-2023 |
Издатель: | Pleiades Publishing, Ltd. |
Библиографическое описание источника: | High Energy Chemistry. – 2023. – Vol. 57, No. 6. – P. 498–503. |
Аннотация: | FP9120 diazoquinone–novolac positive photoresist films 1.5 μm thick implanted with Ag+ ions and supported on the surface of KDB-10 (111) silicon wafers by centrifugation have been studied by measuring reflection spectra. It has been shown that ion implantation leads to a decrease in the refractive index of the photoresist due to radiation crosslinking of novolac resin molecules and a decrease in the density ρ and the molecular refraction RM of the photoresist. It has been established that the reflection coefficient in the opaque region of the photoresistive film increases with the Ag+ implantation dose. The changes observed in the optical properties of the films under ion implantation conditions are explained taking into account radiation-chemical processes in the phenol–formaldehyde photoresist. |
URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/305238 |
ISSN: | 1608-3148 (Electronic) 0018-1439 (Print) |
DOI документа: | 10.1134/S0018143923060061 |
Лицензия: | info:eu-repo/semantics/restrictedAccess |
Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
HighEn2306006KharchenkoKOR.pdf | 363,82 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.