Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/273521| Title: | Электрофизические параметры p–i–n-фотодиодов |
| Authors: | Оджаев, В. Б. Петлицкий, А. Н. Просолович, В. С. Филипеня, В. А. Шестовский, Д. В. Явид, В. Ю. Янковский, Ю. Н. Мавланов, Г. Х. Исмайлов, Б. К. Кенжаев, З. Т. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2021 |
| Citation: | Наноструктурные полупроводниковые материалы в фотоэнергетике – 2021: материалы II Междунар. науч. конф. (Ташкент, 19–20 ноября 2021 г.). С. 24–29. |
| Abstract: | В работе проведен анализ изменения электрофизических параметров p-i-n-фотодиодов на основе кремния в зависимости от величины внешнего смещения и температуры. |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/273521 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Конференция Ташкент.pdf | 620,51 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.