Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/273521Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Оджаев, В. Б. | - |
| dc.contributor.author | Петлицкий, А. Н. | - |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Филипеня, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Шестовский, Д. В. | - |
| dc.contributor.author | Явид, В. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Янковский, Ю. Н. | - |
| dc.contributor.author | Мавланов, Г. Х. | - |
| dc.contributor.author | Исмайлов, Б. К. | - |
| dc.contributor.author | Кенжаев, З. Т. | - |
| dc.date.accessioned | 2021-12-23T16:25:43Z | - |
| dc.date.available | 2021-12-23T16:25:43Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | - |
| dc.identifier.citation | Наноструктурные полупроводниковые материалы в фотоэнергетике – 2021: материалы II Междунар. науч. конф. (Ташкент, 19–20 ноября 2021 г.). С. 24–29. | ru |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/273521 | - |
| dc.description.abstract | В работе проведен анализ изменения электрофизических параметров p-i-n-фотодиодов на основе кремния в зависимости от величины внешнего смещения и температуры. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Электрофизические параметры p–i–n-фотодиодов | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Конференция Ташкент.pdf | 620,51 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.