Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/273520
Заглавие документа: Математическое моделирование распределения напряжений в облученном ионами высоких энергий алмазе
Авторы: Хорунжий, И. А.
Мартинович, В. А.
Русецкий, М. С.
Казючиц, В. Н.
Казючиц, Н. М.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Математика
Дата публикации: 2021
Издатель: Издательско-полиграфический центр Политехнического университета. Санкт-Петербург
Библиографическое описание источника: Математические методы в технологиях и технике, 2021, № 12, 22–25.
Аннотация: Получено распределение напряжений в синтетическом алмазе, облученном ионами Хе с энергией 167 МэВ флюенсом 3.55·10^14 см^-2, методом компьютерного моделирования. Показано, что расширение решетки в облученном слое приводит к изгибу алмазной пластины, а необлученная часть находится под действием сжимающих напряжений, которые распределены неравномерно. Наблюдается хорошее соответствие между расчетными и экспериментальными данными, полученными методами комбинационного рассеяния света и конфокальной микроскопии.
Аннотация (на другом языке): The stress distribution in synthetic diamond irradiated with 167 MeV Xe ions to the fluence of 3.55·10^14 cm^-2 has been obtained by numerical simulation. It is shown that the lattice expansion in irradiated layer leads to bending of the diamond plate, and the unirradiated part is under nonuniformly distributed compression stresses. There is a good correlation between the calculated and experimental data obtained by Raman scattering and confocal microscopy methods.
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/273520
ISSN: 2712-8873
DOI документа: 10.52348/2712-8873_MMTT_2021_12_22
Лицензия: info:eu-repo/semantics/openAccess
Располагается в коллекциях:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи)

Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.