Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/273520Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Хорунжий, И. А. | - |
| dc.contributor.author | Мартинович, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Русецкий, М. С. | - |
| dc.contributor.author | Казючиц, В. Н. | - |
| dc.contributor.author | Казючиц, Н. М. | - |
| dc.date.accessioned | 2021-12-23T15:46:37Z | - |
| dc.date.available | 2021-12-23T15:46:37Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | - |
| dc.identifier.citation | Математические методы в технологиях и технике, 2021, № 12, 22–25. | ru |
| dc.identifier.issn | 2712-8873 | - |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/273520 | - |
| dc.description.abstract | Получено распределение напряжений в синтетическом алмазе, облученном ионами Хе с энергией 167 МэВ флюенсом 3.55·10^14 см^-2, методом компьютерного моделирования. Показано, что расширение решетки в облученном слое приводит к изгибу алмазной пластины, а необлученная часть находится под действием сжимающих напряжений, которые распределены неравномерно. Наблюдается хорошее соответствие между расчетными и экспериментальными данными, полученными методами комбинационного рассеяния света и конфокальной микроскопии. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Издательско-полиграфический центр Политехнического университета. Санкт-Петербург | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Математика | ru |
| dc.title | Математическое моделирование распределения напряжений в облученном ионами высоких энергий алмазе | ru |
| dc.type | article | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| dc.identifier.DOI | 10.52348/2712-8873_MMTT_2021_12_22 | - |
| dc.description.alternative | The stress distribution in synthetic diamond irradiated with 167 MeV Xe ions to the fluence of 3.55·10^14 cm^-2 has been obtained by numerical simulation. It is shown that the lattice expansion in irradiated layer leads to bending of the diamond plate, and the unirradiated part is under nonuniformly distributed compression stresses. There is a good correlation between the calculated and experimental data obtained by Raman scattering and confocal microscopy methods. | ru |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Математическое моделирование распределения напряжений в облученном ионами высоких энергий алмазе.pdf | 846,04 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.