Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/264641| Заглавие документа: | Influence of Defects Introduced by Irradiation with 4-9 MeV Helium Ions on Impedance of Silicon Diodes |
| Авторы: | Poklonski, N. A. Gorbachuk, N. I. Nha, V. Q. Shpakovski, S. V. Filipenya, V. A. Skuratov, V. A. Kotunowicz, T. N. Kukharchyk, N. Becker, H.-W. Wieck, A. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2015 |
| Издатель: | Polish Academy of Sciences |
| Библиографическое описание источника: | Acta Phys Pol A 2015;128(5):891-893. |
| Аннотация: | Silicon diodes irradiated with helium ions with energies of 4.1, 6.8 and 8.9 MeV are studied. It is shown that the mechanism determining the behaviour of frequency dependence of complex electric module and correspondingly the behavior of impedance of diodes irradiated with helium ions in the frequency region 3200 kHz is a recharging of vacancy complexes localized in the space charge region. |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/264641 |
| DOI документа: | 10.12693/APhysPolA.128.891 |
| Scopus идентификатор документа: | 84952801915 |
| Финансовая поддержка: | Belarusian Scientific program "Electronics and Photonics" (task 1.1.03) and the German Academic Exchange Service DAAD. |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| a128z5p20.pdf | 801,03 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.