Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/264641
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Poklonski, N. A. | - |
dc.contributor.author | Gorbachuk, N. I. | - |
dc.contributor.author | Nha, V. Q. | - |
dc.contributor.author | Shpakovski, S. V. | - |
dc.contributor.author | Filipenya, V. A. | - |
dc.contributor.author | Skuratov, V. A. | - |
dc.contributor.author | Kotunowicz, T. N. | - |
dc.contributor.author | Kukharchyk, N. | - |
dc.contributor.author | Becker, H.-W. | - |
dc.contributor.author | Wieck, A. | - |
dc.date.accessioned | 2021-07-21T08:08:33Z | - |
dc.date.available | 2021-07-21T08:08:33Z | - |
dc.date.issued | 2015 | - |
dc.identifier.citation | Acta Phys Pol A 2015;128(5):891-893. | ru |
dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/264641 | - |
dc.description.abstract | Silicon diodes irradiated with helium ions with energies of 4.1, 6.8 and 8.9 MeV are studied. It is shown that the mechanism determining the behaviour of frequency dependence of complex electric module and correspondingly the behavior of impedance of diodes irradiated with helium ions in the frequency region 3200 kHz is a recharging of vacancy complexes localized in the space charge region. | ru |
dc.description.sponsorship | Belarusian Scientific program "Electronics and Photonics" (task 1.1.03) and the German Academic Exchange Service DAAD. | ru |
dc.language.iso | en | ru |
dc.publisher | Polish Academy of Sciences | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Influence of Defects Introduced by Irradiation with 4-9 MeV Helium Ions on Impedance of Silicon Diodes | ru |
dc.type | article | ru |
dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
dc.identifier.DOI | 10.12693/APhysPolA.128.891 | - |
dc.identifier.scopus | 84952801915 | - |
Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
a128z5p20.pdf | 801,03 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.