Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/264641
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorPoklonski, N. A.-
dc.contributor.authorGorbachuk, N. I.-
dc.contributor.authorNha, V. Q.-
dc.contributor.authorShpakovski, S. V.-
dc.contributor.authorFilipenya, V. A.-
dc.contributor.authorSkuratov, V. A.-
dc.contributor.authorKotunowicz, T. N.-
dc.contributor.authorKukharchyk, N.-
dc.contributor.authorBecker, H.-W.-
dc.contributor.authorWieck, A.-
dc.date.accessioned2021-07-21T08:08:33Z-
dc.date.available2021-07-21T08:08:33Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.citationActa Phys Pol A 2015;128(5):891-893.ru
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/264641-
dc.description.abstractSilicon diodes irradiated with helium ions with energies of 4.1, 6.8 and 8.9 MeV are studied. It is shown that the mechanism determining the behaviour of frequency dependence of complex electric module and correspondingly the behavior of impedance of diodes irradiated with helium ions in the frequency region 3200 kHz is a recharging of vacancy complexes localized in the space charge region.ru
dc.description.sponsorshipBelarusian Scientific program "Electronics and Photonics" (task 1.1.03) and the German Academic Exchange Service DAAD.ru
dc.language.isoenru
dc.publisherPolish Academy of Sciencesru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleInfluence of Defects Introduced by Irradiation with 4-9 MeV Helium Ions on Impedance of Silicon Diodesru
dc.typearticleru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
dc.identifier.DOI10.12693/APhysPolA.128.891-
dc.identifier.scopus84952801915-
Располагается в коллекциях:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи)

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
a128z5p20.pdf801,03 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.