Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/253608| Title: | Электрофизические параметры диодов генераторов широкополосного шума |
| Authors: | Буслюк, В. В. Оджаев, В. Б. Панфиленко, А. К. Петлицкий, А. Н. Просолович, В. С. Филипеня, В. А. Янковский, Ю. Н. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Приборостроение |
| Issue Date: | 2020 |
| Publisher: | ФГУП «Академический научно-издательский, Производственно- Полиграфический и книгораспределительный центр РАН "Издательство «Наука» " |
| Citation: | Микроэлектроника. – 2020. –Т. 49. – № 4. – С. 314–320. |
| Abstract: | Методом измерения вольт-амперных (ВАХ) и вольт-фарадных (ВФХ) характеристик исследованы электрофизические параметры кремниевых диодов-генераторов шума, изготовленных по планарной технологии на подложках монокристаллического кремния. Установлено, что величина обратного тока в генераторных диодах определяется ионизацией составляющих основу микроплазм технологических (фоновых) примесей, распределенных неоднородно по объему кристалла. Лавинный пробой p–n-перехода генераторных диодов вероятно обусловлен включением микроплазм, связанных с локальными неоднородностями легирования материала подложки, а также электрической ионизацией глубоких примесных центров технологических (фоновых) примесей, таких, например, как медь и железо. |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/253608 |
| ISSN: | 0544-1269 |
| DOI: | 10.31857/S0544126920040031 |
| Appears in Collections: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Files in This Item:
There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.