Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/253608Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Буслюк, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Оджаев, В. Б. | - |
| dc.contributor.author | Панфиленко, А. К. | - |
| dc.contributor.author | Петлицкий, А. Н. | - |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Филипеня, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Янковский, Ю. Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2020-12-28T13:38:42Z | - |
| dc.date.available | 2020-12-28T13:38:42Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | - |
| dc.identifier.citation | Микроэлектроника. – 2020. –Т. 49. – № 4. – С. 314–320. | ru |
| dc.identifier.issn | 0544-1269 | - |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/253608 | - |
| dc.description.abstract | Методом измерения вольт-амперных (ВАХ) и вольт-фарадных (ВФХ) характеристик исследованы электрофизические параметры кремниевых диодов-генераторов шума, изготовленных по планарной технологии на подложках монокристаллического кремния. Установлено, что величина обратного тока в генераторных диодах определяется ионизацией составляющих основу микроплазм технологических (фоновых) примесей, распределенных неоднородно по объему кристалла. Лавинный пробой p–n-перехода генераторных диодов вероятно обусловлен включением микроплазм, связанных с локальными неоднородностями легирования материала подложки, а также электрической ионизацией глубоких примесных центров технологических (фоновых) примесей, таких, например, как медь и железо. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | ФГУП «Академический научно-издательский, Производственно- Полиграфический и книгораспределительный центр РАН "Издательство «Наука» " | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Приборостроение | ru |
| dc.title | Электрофизические параметры диодов генераторов широкополосного шума | ru |
| dc.type | article | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| dc.identifier.DOI | 10.31857/S0544126920040031 | - |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) | |
Полный текст документа:
Нет файлов, ассоциированных с этим документом.
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.