Электрофизические параметры диодов генераторов широкополосного шума

Abstract

Методом измерения вольт-амперных (ВАХ) и вольт-фарадных (ВФХ) характеристик исследованы электрофизические параметры кремниевых диодов-генераторов шума, изготовленных по планарной технологии на подложках монокристаллического кремния. Установлено, что величина обратного тока в генераторных диодах определяется ионизацией составляющих основу микроплазм технологических (фоновых) примесей, распределенных неоднородно по объему кристалла. Лавинный пробой p–n-перехода генераторных диодов вероятно обусловлен включением микроплазм, связанных с локальными неоднородностями легирования материала подложки, а также электрической ионизацией глубоких примесных центров технологических (фоновых) примесей, таких, например, как медь и железо.