Модель стационарной миграции свободных и прыгающих между акцепторами дырок в кристаллическом полупроводнике

Поклонский, Н. А.; Деревяго, А. Н.; Вырко, С. А.

doi:10.29235/1561-2430-2020-56-1-92-101

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/253573

Title:	Модель стационарной миграции свободных и прыгающих между акцепторами дырок в кристаллическом полупроводнике
Other Titles:	Model of stationary migration of free and hopping via acceptors holes in a crystalline semiconductor
Authors:	Поклонский, Н. А. Деревяго, А. Н. Вырко, С. А.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2020
Publisher:	Издательский дом «Белорусская наука»
Citation:	Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук = Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics series. – 2020. – Т. 56, № 1. – С. 92–101.
Abstract:	В диффузионно-дрейфовом приближении построена феноменологическая теория сосуществующих миграции дырок v-зоны и миграции дырок посредством прыжков с водородоподобных акцепторов в зарядовом состоянии (0) на акцепторы в зарядовом состоянии (−1). Рассматривается кристаллический полупроводник p-типа при постоянной температуре, к которому приложено внешнее стационарное электрическое поле. В линейном приближении впервые получены аналитические выражения для длины экранирования статического электрического поля и длины диффузии дырок v-зоны и дырок, квазилокализованных на акцепторах. Представленные соотношения как частные случаи содержат известные выражения. Показано, что прыжковая миграция дырок по акцепторам приводит к уменьшению и длины экранирования, и длины диффузии.
Abstract (in another language):	In the diffusion-drift approximation, we have constructed a phenomenological theory of the coexisting migration of v-band holes and holes by means of hopping from hydrogen-like acceptors in the charge state (0) to acceptors in the charge state (−1). A p-type crystalline semiconductor is considered at a constant temperature, to which an external stationary electric field is applied. In the linear approximation, analytical expressions for the screening length of the static electric field and the length of the diffusion of v-band holes and the holes quasilocalized on acceptors are obtained for the first time. The presented relations, as special cases, contain well-known expressions. It is shown that the hopping migration of holes via acceptors leads to a decrease in the screening length and in the diffusion length.
URI:	https://elib.bsu.by/handle/123456789/253573
ISSN:	1561-2430
DOI:	10.29235/1561-2430-2020-56-1-92-101
Sponsorship:	Работа поддержана программой «Физматтех» Республики Беларусь, Белорусским республиканским фондом фундаментальных исследований (грант № Ф19РМ-054), а также Рамочной программой Европейского союза по развитию научных исследований и технологий Horizon 2020 (грант № H2020-MSCA-RISE-2019-871284 SSHARE).
Appears in Collections:	Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи)

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
IzvNANB92-101.pdf		684,58 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar