Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/253573Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Поклонский, Н. А. | - |
| dc.contributor.author | Деревяго, А. Н. | - |
| dc.contributor.author | Вырко, С. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2020-12-25T19:28:02Z | - |
| dc.date.available | 2020-12-25T19:28:02Z | - |
| dc.date.issued | 2020 | - |
| dc.identifier.citation | Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук = Proceedings of the National Academy of Sciences of Belarus. Physics and Mathematics series. – 2020. – Т. 56, № 1. – С. 92–101. | ru |
| dc.identifier.issn | 1561-2430 | - |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/253573 | - |
| dc.description.abstract | В диффузионно-дрейфовом приближении построена феноменологическая теория сосуществующих миграции дырок v-зоны и миграции дырок посредством прыжков с водородоподобных акцепторов в зарядовом состоянии (0) на акцепторы в зарядовом состоянии (−1). Рассматривается кристаллический полупроводник p-типа при постоянной температуре, к которому приложено внешнее стационарное электрическое поле. В линейном приближении впервые получены аналитические выражения для длины экранирования статического электрического поля и длины диффузии дырок v-зоны и дырок, квазилокализованных на акцепторах. Представленные соотношения как частные случаи содержат известные выражения. Показано, что прыжковая миграция дырок по акцепторам приводит к уменьшению и длины экранирования, и длины диффузии. | ru |
| dc.description.sponsorship | Работа поддержана программой «Физматтех» Республики Беларусь, Белорусским республиканским фондом фундаментальных исследований (грант № Ф19РМ-054), а также Рамочной программой Европейского союза по развитию научных исследований и технологий Horizon 2020 (грант № H2020-MSCA-RISE-2019-871284 SSHARE). | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Издательский дом «Белорусская наука» | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Модель стационарной миграции свободных и прыгающих между акцепторами дырок в кристаллическом полупроводнике | ru |
| dc.title.alternative | Model of stationary migration of free and hopping via acceptors holes in a crystalline semiconductor | ru |
| dc.type | article | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| dc.identifier.DOI | 10.29235/1561-2430-2020-56-1-92-101 | - |
| dc.description.alternative | In the diffusion-drift approximation, we have constructed a phenomenological theory of the coexisting migration of v-band holes and holes by means of hopping from hydrogen-like acceptors in the charge state (0) to acceptors in the charge state (−1). A p-type crystalline semiconductor is considered at a constant temperature, to which an external stationary electric field is applied. In the linear approximation, analytical expressions for the screening length of the static electric field and the length of the diffusion of v-band holes and the holes quasilocalized on acceptors are obtained for the first time. The presented relations, as special cases, contain well-known expressions. It is shown that the hopping migration of holes via acceptors leads to a decrease in the screening length and in the diffusion length. | ru |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| IzvNANB92-101.pdf | 684,58 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.