Электрические потери в имплантированных ионами ксенона структурах Al/SiO2 /n-Si

Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Шпаковский, С. В.; Wieck, A.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/241598

Title:	Электрические потери в имплантированных ионами ксенона структурах Al/SiO2 /n-Si
Other Titles:	Electrical Losses of Al/SiO2 /n-Si Structures Implanted with Xenon Ions
Authors:	Горбачук, Н. И. Поклонский, Н. А. Шпаковский, С. В. Wieck, A.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2019
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. — 3 окт. 2019 г. / редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. — Минск : БГУ, 2019. — С. 139—142.
Abstract:	Исследовался импеданс МДП-структур Al/SiO2/n-Si, имплантированных ионами ксенона с энергией 166 МэВ. Флюенс ионов варьировался от 10×8 до 10×12 см^−2. Измерения тангенса угла электрических потерь выполнялись в диапазоне частот от 20 до 3×10^7 Гц. Установлено, что при флюенсах имплантации (облучения) ≥10×9 см^−2 радиационные дефекты вносят в интервале частот 2×10^3 – 10^5 Гц определяющий вклад в электрические потери МДП-структур, находящихся в режиме инверсии типа электрической проводимости в пограничном слое n-Si. Показано, что потери обусловлены перезарядкой введенных имплантацией дефектов.
Abstract (in another language):	Impedance of MIS structures Al/SiO2/n-Si implanted with xenon ions with energy of 166 MeV was studied. The ion fluence was ranged from 10 8 to 10•12 cm^−2. Measurements of electric loss tangent were performed in the frequency range from 20 to 3•10^7 Hz. It has been established that at implantation (irradiation) fluences ≥10^9 cm^−2 the irradiation-induced defects in the frequency range 2⋅10^3 – 10^5 Hz make a primary contribution to the electric losses of the MIS structures in the mode of electrical conductivity type inversion in the n-Si boundary layer. It is shown that the losses are caused by the recharging of defects introduced by implantation.
URI:	http://elib.bsu.by/handle/123456789/241598
ISSN:	2663-9939
Sponsorship:	Работа выполнена при финансовой поддержке ГПНИ «Фотоника, опто- и микроэлектроника» (подпрограмма «Микро- и наноэлектроника») и «Физматтех».
Appears in Collections:	Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи)

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
Electrical Losses of AlSiO2 n-Si Structures Implanted with Xenon Ions.pdf		425,54 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar