Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Статьи сотрудников физического факультета
  5. Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи)
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/241598
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorГорбачук, Н. И.-
dc.contributor.authorПоклонский, Н. А.-
dc.contributor.authorШпаковский, С. В.-
dc.contributor.authorWieck, A.-
dc.date.accessioned2020-04-01T12:36:33Z-
dc.date.available2020-04-01T12:36:33Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом : материалы 13-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 30 сент. — 3 окт. 2019 г. / редкол.: В. В. Углов (отв. ред.) [и др.]. — Минск : БГУ, 2019. — С. 139—142.ru
dc.identifier.issn2663-9939-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/241598-
dc.description.abstractИсследовался импеданс МДП-структур Al/SiO2/n-Si, имплантированных ионами ксенона с энергией 166 МэВ. Флюенс ионов варьировался от 10×8 до 10×12 см^−2. Измерения тангенса угла электрических потерь выполнялись в диапазоне частот от 20 до 3×10^7 Гц. Установлено, что при флюенсах имплантации (облучения) ≥10×9 см^−2 радиационные дефекты вносят в интервале частот 2×10^3 – 10^5 Гц определяющий вклад в электрические потери МДП-структур, находящихся в режиме инверсии типа электрической проводимости в пограничном слое n-Si. Показано, что потери обусловлены перезарядкой введенных имплантацией дефектов.ru
dc.description.sponsorshipРабота выполнена при финансовой поддержке ГПНИ «Фотоника, опто- и микроэлектроника» (подпрограмма «Микро- и наноэлектроника») и «Физматтех».ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleЭлектрические потери в имплантированных ионами ксенона структурах Al/SiO2 /n-Siru
dc.title.alternativeElectrical Losses of Al/SiO2 /n-Si Structures Implanted with Xenon Ionsru
dc.typearticleru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
dc.description.alternativeImpedance of MIS structures Al/SiO2/n-Si implanted with xenon ions with energy of 166 MeV was studied. The ion fluence was ranged from 10 8 to 10•12 cm^−2. Measurements of electric loss tangent were performed in the frequency range from 20 to 3•10^7 Hz. It has been established that at implantation (irradiation) fluences ≥10^9 cm^−2 the irradiation-induced defects in the frequency range 2⋅10^3 – 10^5 Hz make a primary contribution to the electric losses of the MIS structures in the mode of electrical conductivity type inversion in the n-Si boundary layer. It is shown that the losses are caused by the recharging of defects introduced by implantation.ru
Располагается в коллекциях:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи)

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Electrical Losses of AlSiO2 n-Si Structures Implanted with Xenon Ions.pdf425,54 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.