Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/241517| Title: | Атомно-силовая микроскопия пленок позитивного диазохинонноволачного фоторезиста, имплантированного ионами бора |
| Authors: | Вабищевич, С. А. Васюков, А. В. Вабищевич, Н. В. Бринкевич, Д. И. Просолович, В. С. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Issue Date: | 2018 |
| Publisher: | Полоцкий государственный университет |
| Citation: | Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. — 2018. — № 12. — C. 37—41. |
| Abstract: | Методом атомно-силовой микроскопии исследована модификация поверхности позитивного фоторезиста ФП9120, имплантированного ионами B+ с энергией 100 кэВ в интервале доз 5×10^14–1×10^16 cм^-2. Обнаружено формирование при низких дозах имплантации ионов пирамидальных структур высотой до 19 нм и размерами в основании до 4–20 нм, хаотично расположенных на поверхности фоторезистивных пленок. Увеличение дозы имплантации свыше 1×10^15 см^-2 приводит к сглаживанию пирамидальных структур. Их высота снижается до 2–5 нм, а размеры в основании увеличиваются до 5–100 нм. Формирование указанных структур обусловлено релаксацией локальных упругих напряжений сжатия в полимерной пленке |
| Abstract (in another language): | Using atomic-force microscopy, we studied the modification of the surface of a positive photoresist of FP9120 implanted with B+ ions with energy of 100 keV in the dose range of 5∙10^14–1∙10^16 cm^-2. It was found that, at low doses of implantation of ions, pyramidal structures with heights of up to 19 nm and dimensions at the base of up to 4–20 nm randomly located on the surface of photoresist films were found. Increasing the implantation dose over 1∙10^15 cm^-2 leads to smoothing of the pyramidal structures. Their height decreases to 2–5 nm, and the dimensions at the base increase to 50–100 nm. The formation of these structures is due to the relaxation of local elastic compressive stresses in the polymer film. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/241517 |
| ISSN: | 2070-1624 |
| Appears in Collections: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| АСМ пленок позитивного диазохинонноволачного фоторезиста, имплантированного ионами B.pdf | 405,17 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.