Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/241517Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Вабищевич, С. А. | - |
| dc.contributor.author | Васюков, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Вабищевич, Н. В. | - |
| dc.contributor.author | Бринкевич, Д. И. | - |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | - |
| dc.date.accessioned | 2020-03-27T11:20:23Z | - |
| dc.date.available | 2020-03-27T11:20:23Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник Полоцкого государственного университета. Серия C, Фундаментальные науки. — 2018. — № 12. — C. 37—41. | ru |
| dc.identifier.issn | 2070-1624 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/241517 | - |
| dc.description.abstract | Методом атомно-силовой микроскопии исследована модификация поверхности позитивного фоторезиста ФП9120, имплантированного ионами B+ с энергией 100 кэВ в интервале доз 5×10^14–1×10^16 cм^-2. Обнаружено формирование при низких дозах имплантации ионов пирамидальных структур высотой до 19 нм и размерами в основании до 4–20 нм, хаотично расположенных на поверхности фоторезистивных пленок. Увеличение дозы имплантации свыше 1×10^15 см^-2 приводит к сглаживанию пирамидальных структур. Их высота снижается до 2–5 нм, а размеры в основании увеличиваются до 5–100 нм. Формирование указанных структур обусловлено релаксацией локальных упругих напряжений сжатия в полимерной пленке | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Полоцкий государственный университет | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | ru |
| dc.title | Атомно-силовая микроскопия пленок позитивного диазохинонноволачного фоторезиста, имплантированного ионами бора | ru |
| dc.type | article | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| dc.description.alternative | Using atomic-force microscopy, we studied the modification of the surface of a positive photoresist of FP9120 implanted with B+ ions with energy of 100 keV in the dose range of 5∙10^14–1∙10^16 cm^-2. It was found that, at low doses of implantation of ions, pyramidal structures with heights of up to 19 nm and dimensions at the base of up to 4–20 nm randomly located on the surface of photoresist films were found. Increasing the implantation dose over 1∙10^15 cm^-2 leads to smoothing of the pyramidal structures. Their height decreases to 2–5 nm, and the dimensions at the base increase to 50–100 nm. The formation of these structures is due to the relaxation of local elastic compressive stresses in the polymer film. | ru |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| АСМ пленок позитивного диазохинонноволачного фоторезиста, имплантированного ионами B.pdf | 405,17 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.