Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/236531
Заглавие документа: | Природа стабильных парамагнитных центров в имплантированных ионами Р+ и В+ пленках позитивного фоторезиста ФП9120 |
Авторы: | Бринкевич, Д. И. Лапчук, Н. М. Оджаев, В. Б. Олешкевич, А. Н. Просолович, В. С. Янковский, Ю. Н. Черный, В. В. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2019 |
Издатель: | Минск : БНТУ |
Библиографическое описание источника: | Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13—15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. — Минск : БНТУ, 2019. — С. 196—198. |
Аннотация: | Целью настоящей работы являлось исследование радиационно-индуцированных процессов в пленках диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 при имплантации ионов бора и фосфора, а также облучении γ-квантами. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/236531 |
ISBN: | 978-985-583-476-3 |
Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
P.196-198.pdf | 1,17 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.