Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/236531Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Бринкевич, Д. И. | - |
| dc.contributor.author | Лапчук, Н. М. | - |
| dc.contributor.author | Оджаев, В. Б. | - |
| dc.contributor.author | Олешкевич, А. Н. | - |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Янковский, Ю. Н. | - |
| dc.contributor.author | Черный, В. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-12-20T14:59:12Z | - |
| dc.date.available | 2019-12-20T14:59:12Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | - |
| dc.identifier.citation | Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13—15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. — Минск : БНТУ, 2019. — С. 196—198. | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-583-476-3 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/236531 | - |
| dc.description.abstract | Целью настоящей работы являлось исследование радиационно-индуцированных процессов в пленках диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 при имплантации ионов бора и фосфора, а также облучении γ-квантами. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БНТУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Природа стабильных парамагнитных центров в имплантированных ионами Р+ и В+ пленках позитивного фоторезиста ФП9120 | ru |
| dc.type | article | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| Appears in Collections: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники | |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| P.196-198.pdf | 1,17 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.