Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/236531
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБринкевич, Д. И.-
dc.contributor.authorЛапчук, Н. М.-
dc.contributor.authorОджаев, В. Б.-
dc.contributor.authorОлешкевич, А. Н.-
dc.contributor.authorПросолович, В. С.-
dc.contributor.authorЯнковский, Ю. Н.-
dc.contributor.authorЧерный, В. В.-
dc.date.accessioned2019-12-20T14:59:12Z-
dc.date.available2019-12-20T14:59:12Z-
dc.date.issued2019-
dc.identifier.citationПриборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13—15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. — Минск : БНТУ, 2019. — С. 196—198.ru
dc.identifier.isbn978-985-583-476-3-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/236531-
dc.description.abstractЦелью настоящей работы являлось исследование радиационно-индуцированных процессов в пленках диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 при имплантации ионов бора и фосфора, а также облучении γ-квантами.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БНТУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleПрирода стабильных парамагнитных центров в имплантированных ионами Р+ и В+ пленках позитивного фоторезиста ФП9120ru
dc.typearticleru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
Appears in Collections:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
P.196-198.pdf1,17 MBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.