Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/236244| Title: | Модификация спектров отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста при имплантации ионами Бора и Фосфора |
| Authors: | Бринкевич, Д. И. Харченко, А. А. Просолович, В. С. Оджаев, В. Б. Бринкевич, С. Д. Янковский, Ю. Н. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2019 |
| Citation: | Микроэлектроника. - 2019. - Т. 48, № 3. - С. 235–239 |
| Abstract: | Методом измерения спектров отражения исследованы имплантированные ионами В+ и Р+ пленки позитивного фоторезиста ФП9120 толщиной 1.8 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния марки КДБ-10 (111) методом центрифугирования. Показано, что имплантация приводит к уменьшению показателя преломления фоторезиста. В области непрозрачности фоторезистивной пленки имел место рост коэффициента отражения при увеличении дозы имплантации, наиболее выраженный для внедрения ионов P+. На спектральных зависимостях оптической длины имплантированных пленок фоторезиста наблюдались две области с аномальной дисперсией вблизи длин волн 350 и 430 нм, соответствующих полосам поглощения молекул нафтохинондиазида. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/236244 |
| ISSN: | 0544-1269 |
| DOI: | 10.1134/S0544126919020029 |
| Appears in Collections: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Files in This Item:
There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.