Модификация спектров отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста при имплантации ионами Бора и Фосфора

Abstract

Методом измерения спектров отражения исследованы имплантированные ионами В+ и Р+ пленки позитивного фоторезиста ФП9120 толщиной 1.8 мкм, нанесенные на поверхность пластин кремния марки КДБ-10 (111) методом центрифугирования. Показано, что имплантация приводит к уменьшению показателя преломления фоторезиста. В области непрозрачности фоторезистивной пленки имел место рост коэффициента отражения при увеличении дозы имплантации, наиболее выраженный для внедрения ионов P+. На спектральных зависимостях оптической длины имплантированных пленок фоторезиста наблюдались две области с аномальной дисперсией вблизи длин волн 350 и 430 нм, соответствующих полосам поглощения молекул нафтохинондиазида.