Электронная библиотека БГУ: Просмотр

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр "Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи)" Авторы Шпаковский, С. В.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:

Результаты 1 - 8 из 8

Предварительный просмотр	Дата выпуска	Заглавие	Автор(ы)
	2023	DLTS-спектроскопия радиационных дефектов в облученных ионами гелия структурах Al/Si3N4/n-Si	Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В.; Ломако, В. М.
	2019	Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторов	Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Шпаковский, С. В.
	2019	Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импеданс	Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Марочкина, Я. Н.; Шпаковский, С. В.
	2023	Импеданс дефектных слоев кремния, сформированных в структурах Al/SiO2/n-Si облучением высокоэнергетичными ионами гелия	Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В.
	2019	Контроль дифференциального сопротивления p–n-переходов биполярного транзистора в активном режиме методом импедансной спектроскопии	Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Марочкина, Я. Н.; Шпаковский, С. В.
	2018	Расчет статических параметров кремниевого диода, содержащего в симметричном p–n-переходе δ-слой точечных трехзарядных дефектов	Поклонский, Н. А.; Ковалев, А. И.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.
	2023	Спектроскопия DLTS структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия	Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В.
	2019	Электрические потери в имплантированных ионами ксенона структурах Al/SiO2 /n-Si	Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Шпаковский, С. В.; Wieck, A.

Результаты 1 - 8 из 8