Просмотр "Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи)" Авторы Шпаковский, С. В.
Результаты 2 - 8 из 8
< предыдущий
Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 2019 | Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторов | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Шпаковский, С. В. |
| 2019 | Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импеданс | Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Марочкина, Я. Н.; Шпаковский, С. В. |
| 2023 | Импеданс дефектных слоев кремния, сформированных в структурах Al/SiO2/n-Si облучением высокоэнергетичными ионами гелия | Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В. |
| 2019 | Контроль дифференциального сопротивления p–n-переходов биполярного транзистора в активном режиме методом импедансной спектроскопии | Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Марочкина, Я. Н.; Шпаковский, С. В. |
| 2018 | Расчет статических параметров кремниевого диода, содержащего в симметричном p–n-переходе δ-слой точечных трехзарядных дефектов | Поклонский, Н. А.; Ковалев, А. И.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В. |
| 2023 | Спектроскопия DLTS структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия | Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В. |
| 2019 | Электрические потери в имплантированных ионами ксенона структурах Al/SiO2 /n-Si | Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Шпаковский, С. В.; Wieck, A. |