Электронная библиотека БГУ: Поиск

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Поиск

Поиск:
запрос

Текущие фильтры:

Начать новый поиск

Добавить фильтры:

Результаты/Страница | Сортировать документы по В порядке Авторы/запись

Результаты 1-10 из 10.

назад
1
далее

Найденные документы:

Предварительный просмотр	Дата выпуска	Заглавие	Автор(ы)
	2019	Природа стабильных парамагнитных центров в имплантированных ионами Р+ и В+ пленках позитивного фоторезиста ФП9120	Бринкевич, Д. И.; Лапчук, Н. М.; Оджаев, В. Б.; Олешкевич, А. Н.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.; Черный, В. В.
	2018	Исследование влияния технологических примесей на вольт-амперные характеристики биполярного n–p–n-транзистора	Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
	2019	Модификация спектров отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста при имплантации ионами Бора и Фосфора	Бринкевич, Д. И.; Харченко, А. А.; Просолович, В. С.; Оджаев, В. Б.; Бринкевич, С. Д.; Янковский, Ю. Н.
	2019	Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базы	Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
	2020	Электрофизические параметры диодов генераторов широкополосного шума	Буслюк, В. В.; Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Янковский, Ю. Н.
	2021	Влияние неконтролируемых технологических примесей на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистора	Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
	2021	Повышение эффективности промышленного кремниевого солнечного элемента легированием никелем	Бахадырханов, М. К.; Кенжаев, З. Т.; Исмайлов, Б. К.; Оджаев, В. Б.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
	2020	Радиационно-стимулированная трансформация спектров отражения пленок диазохинон-новолачного фоторезиста при имплантации ионов сурьмы	Харченко, А. А.; Бринкевич, Д. И.; Просолович, В. С.; Бринкевич, С. Д.; Оджаев, В. Б.; Янковский, Ю. Н.
	2022	Спектры нарушенного полного внутреннего отражения азотированных структур SiO2/Si	Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Жигулин, Д. В.; Шестовский, Д. В.; Янковский, Ю. Н.; Бринкевич, Д. И.
	10-сен-2023	Электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов, облученных γ-квантами 60Со	Ковальчук, Н. С.; Ластовский, С. Б.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.