Logo BSU

Browsing by Author Турцевич, А. С.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

or enter first few letters:  
Showing results 1 to 20 of 26  next >
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2008Анализ качества посадки кристаллов мощных кремниевых MOSFET транзисторов тепловыми методамиБумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Керенцев, А. Ф.; Турцевич, А. С.
2014Быстрая термическая обработка в технологических процессах синтеза дисилицида титана в модификациях С54 и С49 в системе TiN/Ti/SiМаркевич, М. И.; Турцевич, А. С.; Стельмах, В. Ф.; Першукевич, П. П.; Чапланов, А. М.
2012ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ СУРЬМЫ С МИКРОПОРАМИ ГЕТТЕРНОГО СЛОЯ В КРЕМНИИСадовский, П. К.; Челядинский, А. Р.; Оджаев, В. Б.; Тарасик, М. И.; Турцевич, А. С.; Васильев, Ю. Б.
2012ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕЙ РАДИАЦИИ НА СУБМИКРОННЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫБогатырев, Ю. В.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Турцевич, А. С.; Шведов, С. В.; Белоус, А. И.
2018Влияние структуры знаков совмещения на их «читаемость» после эпитаксиального наращивания кремнияНаливайко, О. Ю.; Бахматова, Н. А.; Ковальчук, Н. C.; Турцевич, А. С.; Ратино, А. К.
2012ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРИМЕСЕЙ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ n-МОП ТРАНЗИСТОРАКарпович, И. А.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Турцевич, А. С.; Шведов, В. С.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2018Выращивание эпитаксиальных слоев кремния с использованием трихлорсиланаНаливайко, О. Ю.; Турцевич, А. С.; Рудницкий, К. В.; Шамплет, А. В.; Нагаев, И. А.
2014Диэлектрические характеристики конденсаторных структур на основе пленок титаната стронция, сформированных золь-гель методомСохраби, Анараки Х.; Гапоненко, Н. В.; Руденко, М. В.; Завадский, С. М.; Голосов, Д. А.; Гук, А. Ф.; Колос, В. В.; Петлицкий, А. Н.; Турцевич, А. С.
2008Исследование влияния условии осаждения на структуру и морфологические свойства слоев поликристаллического кремния, легированного в процессе роста кислородомТурцевич, А. С.; Наливайко, О. Ю.; Гайдук, П. И.; Лепешкевич, Г. В.
2017Исследование начальных стадий роста пленок Si1-хGeх в горизонтальном реакторе пониженного давленияНаливайко, О. Ю.; Турцевич, А. С.; Лепешкевич, Г. В.; Жигулин, Д. В.; Наливайко, В. О.
2015Исследование начальных стадий роста пленок германия в горизонтальном реакторе пониженного давления.Наливайко, О. Ю.; Турцевич, А. С.; Лепешкевич, Г. В.; Жигулин, Д. В.
2014Исследование структуры теплового сопротивления ДМОП-транзисторов неразрушающим методом ТРДСНисс, В. С.; Васьков, О. С.; Кононенко, В. К.; Турцевич, А. С.; Рубцевич, И. И.; Соловьев, Я. А.; Керенцев, А. Ф.
2014Кремниевые структуры с глубокими отверстиями и их применение в интегральной электроникеЛазарук, С. К.; Долбик, А. В.; Высоцкий, В. Б.; Турцевич, А. С.; Шведов, С. В.; Лабунов, В. А.
2013Морфология и электрофизические свойства структур PtSi/Si, сформированных на аморфном кремнииНаливайко, О. Ю.; Турцевич, А. С.; Чиж, К. В.; Резник, В. Я.; Юрьев, В. А.; Новиков, А.; Гайдук, П. И.
2008Низкотемпературное формирование силицидов платины для силовых диодов ШотткиКомаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Конопляник, И. В.; Шабека, Е. П.; Соловьев, Я. А.; Турцевич, А. С.
2016Оптимизация процесса химико-механической полировки вольфрама для формирования межсоединений субмикронных ИМСНаливайко, О. Ю.; Роговой, В. И.; Турцевич, А. С.
2018Осаждение пленок оксида кремния с использованием плазменной активации при производстве интегральных схемНаливайко, О. Ю.; Турцевич, А. С.; Лепешкевич, Г. В.; Пшеничный, E. Н.
Nov-2019Осаждение пленок поликристаллического кремния, легированного в процессе роста фосфором, в вертикальном реакторе пониженного давленияНаливайко, О. Ю.; Турцевич, А. С.; Завадский, С. М.; Жигулин, Д. В.
2013Оценка равномерности облучения полупроводниковых пластин в камере установки БТОПилипенко, В. А.; Понарядов, В. В.; Горушко, В. А.; Турцевич, А. С.; Шведов, С. В.; Петлицкая, Т. В.
2016Разработка нового способа изготовления транзистора со статической индукциейЛагунович, Н. Л.; Турцевич, А. С.; Борздов, В. М.