Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/107210
Заглавие документа: Кремниевые структуры с глубокими отверстиями и их применение в интегральной электронике
Авторы: Лазарук, С. К.
Долбик, А. В.
Высоцкий, В. Б.
Турцевич, А. С.
Шведов, С. В.
Лабунов, В. А.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2014
Издатель: Издательский центр БГУ
Библиографическое описание источника: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С.
Аннотация: В данной работе разработан метод формирования упорядоченных макропор внутри кремниевых подложек. В качестве исходных кремниевых подложек использовались пластины n-типа с ориентацией (100), легированные фосфором, с удельным сопротивлением 20 Ом см. Проведенные исследования показали, что кремниевые структуры с глубокими отверстиями и изоляцией на поверхности этих отверстий соответствуют требованиям, предъявляемым к структурам, используемым для реализации на их основе трехмерных металлических межсоединений ИС и имеют преимущества по сравнению с используемым в электронной промышленности Bosch-методом формирования глубоких отверстий.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/107210
ISBN: 978-985-553-234-8
Финансовая поддержка: Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований
Располагается в коллекциях:2014. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
p.61-63.pdf488,52 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.