Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/107210| Title: | Кремниевые структуры с глубокими отверстиями и их применение в интегральной электронике |
| Authors: | Лазарук, С. К. Долбик, А. В. Высоцкий, В. Б. Турцевич, А. С. Шведов, С. В. Лабунов, В. А. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2014 |
| Publisher: | Издательский центр БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С. |
| Abstract: | В данной работе разработан метод формирования упорядоченных макропор внутри кремниевых подложек. В качестве исходных кремниевых подложек использовались пластины n-типа с ориентацией (100), легированные фосфором, с удельным сопротивлением 20 Ом см. Проведенные исследования показали, что кремниевые структуры с глубокими отверстиями и изоляцией на поверхности этих отверстий соответствуют требованиям, предъявляемым к структурам, используемым для реализации на их основе трехмерных металлических межсоединений ИС и имеют преимущества по сравнению с используемым в электронной промышленности Bosch-методом формирования глубоких отверстий. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/107210 |
| ISBN: | 978-985-553-234-8 |
| Sponsorship: | Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований |
| Appears in Collections: | 2014. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| p.61-63.pdf | 488,52 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.