Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/107210
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЛазарук, С. К.-
dc.contributor.authorДолбик, А. В.-
dc.contributor.authorВысоцкий, В. Б.-
dc.contributor.authorТурцевич, А. С.-
dc.contributor.authorШведов, С. В.-
dc.contributor.authorЛабунов, В. А.-
dc.date.accessioned2015-01-13T09:58:37Z-
dc.date.available2015-01-13T09:58:37Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С.ru
dc.identifier.isbn978-985-553-234-8-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/107210-
dc.description.abstractВ данной работе разработан метод формирования упорядоченных макропор внутри кремниевых подложек. В качестве исходных кремниевых подложек использовались пластины n-типа с ориентацией (100), легированные фосфором, с удельным сопротивлением 20 Ом см. Проведенные исследования показали, что кремниевые структуры с глубокими отверстиями и изоляцией на поверхности этих отверстий соответствуют требованиям, предъявляемым к структурам, используемым для реализации на их основе трехмерных металлических межсоединений ИС и имеют преимущества по сравнению с используемым в электронной промышленности Bosch-методом формирования глубоких отверстий.ru
dc.description.sponsorshipБелорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследованийru
dc.language.isoruru
dc.publisherИздательский центр БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleКремниевые структуры с глубокими отверстиями и их применение в интегральной электроникеru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2014. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
p.61-63.pdf488,52 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.