Logo BSU

Browsing by Author Поздняков, Д. В.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

or enter first few letters:  
Showing results 1 to 20 of 20
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2008Влияние поперечного электрического поля на дрейфовую скорость электронов в тонкой GaAs квантовой проволокеБорздов, А. В.; Поздняков, Д. В.; Сперанский, Д. С.; Борздов, В. М.
2002Длина когерентности электронных волн в квантовой яме двухбарьерной резонансно-туннельной структурыПоздняков, Д. В.
2002Длина когерентности электронных волн в квантовой яме двухбарьерной резонансно-туннельной структурыПоздняков, Д. В.
2013Моделирование и оптимизация приборных структур с холодными катодами на основе углеродных нанотрубок : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель В. М. БорздовБорздов, В. М.; Поздняков, Д. В.; Борздов, А. В.
2011Моделирование методом Монте-Карло приборных структур СБИС и УБИСБорздов, В. М.; Борздов, А. В.; Поздняков, Д. В.; Жевняк, О. Г.; Сперанский, Д. С.; Комаров, Ф. Ф.
2006Моделирование переходных процессов в GaAs-квантовой проволоке с учетом уширения энергетических уровнейЖевняк, О. Г.; Поздняков, Д. В.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Галенчик, В. О.
2010Оптимизация характеристик диода с холодным катодом на основе массива металлических углеродных нанотрубокПоздняков, Д. В.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Лабунов, В. А.
2012ОПТИМИЗАЦИЯ ХАРАКТЕРИСТИК ТРИОДА С ХОЛОДНЫМ КАТОДОМ НА ОСНОВЕ УПОРЯДОЧЕННОГО МАССИВА МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ОДНОСТЕННЫХ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОКПоздняков, Д. В.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М.
2013Построение и программная реализация параллельных алгоритмов для решения задач диффузии примесных атомов и электропереноса носителей заряда в полупроводниковых приборных структурах интегральной электроники : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель В. М. БорздовБорздов, В. М.; Поздняков, Д. В.; Сперанский, Д. С.; Ерофеенко, В. Т.
2011Провести исследования и разработать программно-математический комплекс комплекс моделирования процессов электромиграции в металлизации субмикронных ИМС : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; рук. Молофеев, В. М.Молофеев, В. М.; Борздов, В. М.; Гопка, А. В.; Поздняков, Д. В.
2010Разработать и исследовать процессы формирования углеродных нанотрубок с заданными параметрами и конструкциии функциональных элементов наноэлектроники на их основе : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; науч. рук. Ф. Ф. КомаровКомаров, Ф. Ф.; Карпович, В. Б.; Леонтьев, А. В.; Поздняков, Д. В.
2010Разработать модели и программное обеспечение для расчета характеристик приборов на системах с низкоразмерным электронным газом с размерами активных областей 100-10 нанометров : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; науч. рук. Борздов, В. М.Борздов, В. М.; Поздняков, Д. В.; Сперанский, Д. С.; Борздов, А. В.
2010Разработать физико-математические модели, алгоритмы и программный комплекс для расчета электрических характеристик кремниевых субмикронных моп-транзисторов со структурным каналом : отчет о НИР (заключительный) / БГУ; науч. рук. Борздов, В. М.Борздов, В. М.; Поздняков, Д. В.; Жевняк, О. Г.; Сетун, А. Н.; Борздов, А. В.; Сперанский, Д. С.
2010Разработка методов получения и исследование массивов унифецированных углеродных нанотрубок и органических молекулярных кристаллов, а также суспензий на их основе, для коммерческого использования и приложения в облости создания нанотранзисторов, автоимисионных дисплеев, солнечных батарей, газо-, хемо-, биосенсоров и топливных элементов : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; науч. рук. Комаров, Ф. Ф.Комаров, Ф. Ф.; Карпович, В. Б.; Поздняков, Д. В.
2013Разработка физико-математических моделей, алгоритмов и комплекса программ для моделирования методом Монте-Карло субмикронных полевых КНИ-транзисторов : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель В. М. БорздовБорздов, В. М.; Поздняков, Д. В.; Борздов, А. В.
2003Расчет интенсивностей рассеяния носителей заряда при моделировании полупроводниковых приборных структур микро- и наноэлектроникиЗезюля, А. В.; Поздняков, Д. В.
2003Расчет интенсивностей рассеяния носителей заряда при моделировании полупроводниковых приборных структур микро- и наноэлектроникиЗезюля, А. В.; Поздняков, Д. В.
2012РАСЧЕТ МЕТОДОМ МОНТЕ-КАРЛО ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК КРЕМНИЕВОГО МОП-ТРАНЗИСТОРА С ДЛИНОЙ КАНАЛА 50 НМПоздняков, Д. В.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М.
2008Расчет электрофизических параметров углеродных нанотрубок типа «Armchair»Поздняков, Д. В.; Борздов, В. М.
2010Формирование магнитных наноструктурных пленок и нанопроволок в матрице анодного оксида алюминия, исследование их физических свойств и моделирование ряда приборных структур на их основе для перспективных конструкций сверх плотной записи- считывания информации : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; рук. Борздов, В. М.Борздов, В. М.; Поздняков, Д. В.; Сперанский, Д. С.; Борздов, А. В.; Долгая, Т. Н.