Разработка физико-математических моделей, алгоритмов и комплекса программ для моделирования методом Монте-Карло субмикронных полевых КНИ-транзисторов : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель В. М. Борздов

Abstract

Объект исследования – КНИ-МОП-транзистор. Цель работы – разработка оригинальных физико-математических мо-делей переноса и рассеяния носителей заряда в субмикронных полевых КНИ-МОП-транзисторах, а также алгоритмов и программных средств расчета электрофизических параметров и электрических характеристик таких транзисторов. В результате проведенных исследований разработаны оригинальные физико-математические модели переноса и рассеяния носителей заряда в субмикронных полевых КНИ-МОП-транзисторах, а также алгоритмы и программный комплекс для расчета электрофизических параметров и электрических характеристик таких транзисторов. С помощью разработанного программного комплекса исследовано влияние различных конструктивно-технологических параметров субмикронных полевых КНИ-МОП-транзисторов на их электрофизические и электрические свойства. Полученные результаты могут быть использованы при моделирова-нии и оптимизации интегральных КНИ-МОП-транзисторов.