Logo BSU

Просмотр Авторы Марченко, И. Г.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 11 из 11
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2003Влияние гамма облучения на параметры кремниевых p-n-p-n-структурЖданович, Н. Е.; Марченко, И. Г.; Карась, В. И.
2010Влияние локального электронного облучения на Si p+-n-n+-структуры большой площадиМарченко, И. Г.; Жданович, Н. Е.
2010Влияние радиационно-термической обработки на характеристики Mo/n-Si-структур с барьером ШотткиМарченко, И. Г.; Жданович, Н. Е.; Гурин, П. М.
1999Использование радиационно-термической обработки для улучшения параметров силовых диодовКоршунов, Ф. П.; Жданович, Н. Е.; Марченко, И. Г.
1999Исследование новых методов создания мощных быстродействующих полупроводниковых приборов c использованием электронного облученияЖданович, Н. Е.; Марченко, И. Г.
2001Исследование радиационного дефектообразования в многослойных структурах на ЯЛКБогатырёв, Ю. В.; Жданович, Н. Е.; Марченко, И. Г.; Карась, В. И.; Трощинский, В. Т.
2011ИССЛЕДОВАНИЕ РАДИАЦИОННЫХ МЕТОДОВ ОТБОРА БИПОЛЯРНЫХ Si-СТРУКТУР ДЛЯ ЭЛЕКТРОНИКИ, РАБОТАЮЩЕЙ В КОСМОСЕМарченко, И. Г.
2012НОВЫЕ МЕТОДЫ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ОБЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОНАМИ КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРМарченко, И. Г.; Жданович, Н. Е.
2012ОСОБЕННОСТИ ПРЯМОЙ ВАХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ КРЕМНИЕВЫХ N+-P-СТРУКТУР С ТОНКОЙ БАЗОЙ, ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОНАМИКоршунов, Ф. П.; Марченко, И. Г.; Жданович, Н. Е.
2011ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ЭЛЕКТРОННО- ОБЛУЧЕННЫХ Mo/n-Si-СТРУКТУРАХ ШОТТКИКоршунов, Ф. П.; Марченко, И. Г.; Жданович, Н. Е.
2011РАЗВИТИЕ РАБОТ В ОБЛАСТИ РАДИАЦИОННОЙ ТЕХНОЛОГИИ СИЛОВЫХ И БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВМарченко, И. Г.; Жданович, Н. Е.