Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/208230
Title: Влияние гамма облучения на параметры кремниевых p-n-p-n-структур
Other Titles: The gamma-irradiation influence on characteristics of silicon p-n-p-n-structures / N.E. Zhdanovich, I.G. Marchenko, V.l. Karas
Authors: Жданович, Н. Е.
Марченко, И. Г.
Карась, В. И.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2003
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 251-253.
Abstract: В работе приводятся результаты исследования влияния гамма-облучения Co60 на критические параметры p-n-p-n-структур обычных и запираемых тиристоров, изготовленных на ядерно-легированном кремнии. Установлено, что на зависимости du/dt(T), измеренной в интервале температур 77-410 К, до и после облучения наблюдаются максимумы при температуре 130-150 К для обоих типов структур и дополнительный максимум при температуре 300-370 К для запираемых p-n-p-n-структур. Наличие низкотемпературного максимума связано с эффектом прилипания основных носителей на уровень легирующей примеси. Наличие дополнительного максимума для запираемых p-n-p-n-структур обусловлено доминирующим влиянием времени жизни неравновесных носителей заряда в узкой p-базе. Приводятся также данные по влиянию шунтирования катодного р-n-перехода запираемых структур на стойкость к эффекту du/dt.
Abstract (in another language): The results of investigation of gamma irradiation Co60 influence on critical characteristics of p-n-p-n-structures of conventional and GTO-thyristors, manufactured on neutron-transmutation doped silicon are shown in this work. It is determined that on the dependence of du/dt(T), measured in temperature range of 77-410 K1 before and after irradiation maximums are observed at 130-150 K for both types of structures and additional maximum at 300-370 K for GTO p-n-p-n-structures. It is shown that the first maximum is due to majority carriers trapping on doping impurity levels. The second additional maximum for GTO-structures is due to dominant influence of non-equilibrium charge carriers in narrow p-base of this structures. The data on influence of cathode p-n-junction of GTO-structures on their tolerance to du/dt effect are shown as well.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/208230
ISBN: 985-445-236-0; 985-445-235-2
Appears in Collections:2003. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
251-253.pdf2,83 MBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.