Влияние гамма облучения на параметры кремниевых p-n-p-n-структур

Abstract

В работе приводятся результаты исследования влияния гамма-облучения Co60 на критические параметры p-n-p-n-структур обычных и запираемых тиристоров, изготовленных на ядерно-легированном кремнии. Установлено, что на зависимости du/dt(T), измеренной в интервале температур 77-410 К, до и после облучения наблюдаются максимумы при температуре 130-150 К для обоих типов структур и дополнительный максимум при температуре 300-370 К для запираемых p-n-p-n-структур. Наличие низкотемпературного максимума связано с эффектом прилипания основных носителей на уровень легирующей примеси. Наличие дополнительного максимума для запираемых p-n-p-n-структур обусловлено доминирующим влиянием времени жизни неравновесных носителей заряда в узкой p-базе. Приводятся также данные по влиянию шунтирования катодного р-n-перехода запираемых структур на стойкость к эффекту du/dt.