Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/49949| Заглавие документа: | Синтез нанокластеров InAs в кремнии методом высокодозной ионной имплантации с последующей термообработкой |
| Авторы: | Комаров, Ф. Ф. Власукова, Л. А. Мильчанин, О. В. Гребень, М. В. Мудрый, А. В. Жук, Ю. Жуковски, П. Карват, Ч. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2010 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 189-192. |
| Аннотация: | В данной работе были исследованы глубинные распределения концентрации внедренных атомов In и As в условиях высокодозной ионной имплантации при двух температурах кристаллов кремния и высокотемпературной постимплантационной обработки. Был проведен анализ диффузионного перераспределения имплантированных примесей, а также влияния температуры имплантации и термообработки на размеры нанокластеров InAs. Приведены результаты исследования оптических свойств образцов методом низкотемпературной люминесценции. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/49949 |
| ISBN: | 978-985-476-885-4 |
| Располагается в коллекциях: | 2010. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Ф.Ф. Комаров, Л.А. Власукова, О.В. Мильчанин, М.В. Гребень, А.В. Мудрый, Ю. Жук, П. Жуковски, Ч. Карват.pdf | 483,49 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.