Синтез нанокластеров InAs в кремнии методом высокодозной ионной имплантации с последующей термообработкой

Abstract

В данной работе были исследованы глубинные распределения концентрации внедренных атомов In и As в условиях высокодозной ионной имплантации при двух температурах кристаллов кремния и высокотемпературной постимплантационной обработки. Был проведен анализ диффузионного перераспределения имплантированных примесей, а также влияния температуры имплантации и термообработки на размеры нанокластеров InAs. Приведены результаты исследования оптических свойств образцов методом низкотемпературной люминесценции.