Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/49733Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Васильев, Ю. Б. | - |
| dc.contributor.author | Плебанович, В. И. | - |
| dc.contributor.author | Оджаев, В. Б. | - |
| dc.contributor.author | Садовский, П. К. | - |
| dc.contributor.author | Челядинский, А. Р. | - |
| dc.contributor.author | Гайдук, П. И. | - |
| dc.contributor.author | Прокопьев, С. Л. | - |
| dc.date.accessioned | 2013-10-22T16:42:38Z | - |
| dc.date.available | 2013-10-22T16:42:38Z | - |
| dc.date.issued | 2010 | - |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 156-160. | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-476-885-4 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/49733 | - |
| dc.description.abstract | В данной работе исследовалось влияния режимов промежуточных быстрых термических отжигов (БТО) на образование остаточных нарушений в легированных слоях кремния, созданных пошаговой имплантацией ионов бора. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Издательский центр БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Пошаговый метод имплантации кремния ионами бора при быстром термическом отжиге | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2010. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Ю.Б. Васильев, В.И. Плебанович, В.Б. Оджаев, П.К. Садовский, А.Р. Челядинский, П.И. Гайдук, С.Л. Прокопьев.pdf | 545,96 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.