Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/49717| Title: | Влияние радиационно-термической обработки на характеристики Mo/n-Si-структур с барьером Шоттки |
| Authors: | Марченко, И. Г. Жданович, Н. Е. Гурин, П. М. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2010 |
| Publisher: | Издательский центр БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. IV Междунар. науч. конф., Минск, 23–24 окт. 2010 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.].— Мн.: БГУ, 2010. С. 135-138. |
| Abstract: | В работе представлены результаты исследования структур с барьерами Шоттки, изготовленных на положке из кремния КЭМ-0,003 n+ типа, легированного мышьяком с удельным сопротивлением ρ = 0,003 Ом•см толщиной 340±20 мкм, на которую методом эпитаксии наносился слой кремния, легированного фосфором с удельным сопротивлением ρ = 2,6–3,0 Ом•см толщиной 8,0–8,8 мкм. У структур создавалась охранное кольцо толщиной 1,1–1,4 мкм с поверхностным сопротивлением Rs = 1000±50 Ом и по периферии наносился защитный слой из двуокиси кремния толщиной 0,65–1,0 мкм. В качестве барьера использовался слой молибдена (Mo) марки МЧВП толщиной 0,3±0,03 мкм. Площадь кристаллов структур составляла 8,6 мм2. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/49717 |
| ISBN: | 978-985-476-885-4 |
| Appears in Collections: | 2010. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| И.Г. Марченко, Н.Е. Жданович, П.М. Гурин.pdf | 234,3 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.