Влияние радиационно-термической обработки на характеристики Mo/n-Si-структур с барьером Шоттки

Abstract

В работе представлены результаты исследования структур с барьерами Шоттки, изготовленных на положке из кремния КЭМ-0,003 n+ типа, легированного мышьяком с удельным сопротивлением ρ = 0,003 Ом•см толщиной 340±20 мкм, на которую методом эпитаксии наносился слой кремния, легированного фосфором с удельным сопротивлением ρ = 2,6–3,0 Ом•см толщиной 8,0–8,8 мкм. У структур создавалась охранное кольцо толщиной 1,1–1,4 мкм с поверхностным сопротивлением Rs = 1000±50 Ом и по периферии наносился защитный слой из двуокиси кремния толщиной 0,65–1,0 мкм. В качестве барьера использовался слой молибдена (Mo) марки МЧВП толщиной 0,3±0,03 мкм. Площадь кристаллов структур составляла 8,6 мм2.