Logo BSU

Просмотр "2010. Материалы и структуры современной электроники" Темы ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 10 из 64
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2010Chemical sensitivity of carbon nanofilms on diamond and quartz substratesKumar, V.; Samsonau, S. V.; Zaitsev, A. M.
2010Electric properties of Ni-nanoparticles arraysKsenevich, V. K.; Dauzhenka, T. A.; Bashmakov, I. A.; Wieck, A. D.
2010PICTS-СПЕКТРОСКОПИЯ ГЛУБОКОУРОВНЕВЫХ ЦЕНТРОВ МОНОКРИСТАЛЛА СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА– ПОЛУПРОВОДНИКА TlInS2Odrinsky, A. P.; Yu.Seyidov МirHasan; Mammadov, T. G.
2010Барьер для миграции собственных междоузельных атомов в кремнии, легированном боромМакаренко, Л. Ф.; Молл, М.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.
2010БЕТА-ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ЭНЕРГИИ НА ОСНОВЕ МАКРОПОРИСТОГО КРЕМНИЯДолгий, А. Л.
2010Влияние локального электронного облучения на Si p+-n-n+-структуры большой площадиМарченко, И. Г.; Жданович, Н. Е.
2010Влияние нанокластеров кремния на точковые мутации ДНК: квантовохимический анализГусаков, В. Е.
2010Влияние облучения ионами Xe+ на диффузионные процессы в кремнии при ионно-ассистированном осаждении покрытийМихалкович, О. М.; Ташлыков, И. С.
2010Влияние радиационно-термической обработки на характеристики Mo/n-Si-структур с барьером ШотткиМарченко, И. Г.; Жданович, Н. Е.; Гурин, П. М.
2010Влияние радиационных дефектов на генерационно-рекомбинационные токи и прямое падение напряжения в кремниевых диодах, облученных ионами криптона с энергией 107 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Скуратов, В. А.