Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/344979| Title: | Расчет электрической емкости самокомпенсированных полупроводников с межцентровыми прыжками одного и двух электронов (на примере кремния с радиационными дефектами) |
| Authors: | Поклонский, Н.И. Вырко, С.А. Забродский, А.Г. |
| Open Researcher and Contributor ID: | 0000-0002-0799-6950 0000-0002-1145-1099 |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2008 |
| Publisher: | Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук |
| Citation: | Физика и техника полупроводников. 2008;Т. 42(12): С. 1420-1425. |
| Abstract: | Проведен расчет низкочастотной электрической емкости кристаллов кремния при прыжковой миграции как одиночных электронов, так и биполяронов (пар электронов) по дефектам одного сорта (типа), "стабилизирующим" уровень Ферми в окрестности середины запрещенной энергетической зоны. Рассматриваются кристаллы с двухуровневыми дефектами в трех зарядовых состояниях (+1,0,-1) либо с положительной, либо с отрицательной корреляционной энергией. Показано, что с ростом абсолютной величины внешнего потенциала емкость кремния, содержащего дефекты с положительной корреляционной энергией, увеличивается, а содержащего дефекты с отрицательной корреляционной энергией, —- уменьшается. Впервые записано выражение для дрейфовой и диффузионной компонент плотности тока биполяронов, прыгающих с дефектов в зарядовых состояниях (-1) на дефекты в зарядовых состояниях (+1). PACS: 61.82.Fk, 71.38.Mx, 71.55.Cn, 72.20.Ee |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/344979 |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Files in This Item:
There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.