Влияние радиационных дефектов на электрические потери в кремниевых диодах, облученных электронами

Abstract

Исследованы кремниевые диоды с p+–n-переходом, облученные электронами энергией 3.5 МэВ, флюенсами от 1015 до 4 ⋅ 1016 см−2. Установлено, что зависимость тангенса угла электрических потерь tgδ от частоты f переменного тока в интервале f = 102–106 Гц является немонотонной функцией с двумя экстремумами: минимумом и максимумом. Трансформация зависимостей tgδ(f) при увеличении флюенса облучения и увеличении температуры отжига диодов обусловлена изменением сопротивления n-Si (базовой области диодов), вызванным накоплением (при увеличении флюенса) или исчезновением и перестройкой (при отжиге) радиационных дефектов. Роль инерционности процесса перезарядки дефектов в формировании tgδ(f) невелика.