Адгезия облученных пленок диазохинонноволачного фоторезиста к монокристаллическому кремнию

Abstract

В работе методом индентирования исследовано влияние γ-облучения на адгезионные свойства пленок диазохинонноволачного фоторезиста ФП9120, нанесенных на пластины монокристаллического кремния методом центрифугирования. Установлено, что γ-облучение приводит к снижению значений удельной энергии отслаивания G фоторезистивных пленок на кремнии. При этом в ИК-спектрах фоторезиста в ходе γ-облучения было отмечено уменьшение интенсивности полос колебаний, связанных с Si–O–C фрагментом, ответственным за адгезию к кремнию. Наблюдаемые экспериментальные результаты объяснены с учетом радиационно-химических и релаксационных процессов, протекающих как на границе раздела фоторезист/кремний, так и в объеме полимерной пленки.