Радиационно-индуцированные процессы в пленках диазохинон-новолачного резиста при облучении γ-квантами 60Со

Abstract

Методом ИК-Фурье спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) исследованы процессы, протекающие при облучении γ-квантами ⁶⁰Со пленок диазохинон-новолачного резиста ФП9120 на кремнии. Показано, что существенная модификация спектров НПВО фоторезистивных пленок заметна только при поглощенных дозах свыше 200 кГр и происходит за счет радиационно-индуцированных превращений метильных, метиленовых, гидроксиметильных и феноксильных групп фенол-формальдегидной смолы, а также <i>о</i>-нафтохинондиазида (фоточувствительного компонента). При этом в спектрах НПВО при дозах до 300 кГр не обнаружено признаков разрушения ароматических фрагментов резиста. В области валентных колебаний С=О связей при облучении наблюдается снижение интенсивности максимума полосы ~1700 см^–1 при одновременном ее уширении и смещении в высокоэнергетическую область на ~30 см^–1, обусловленное изменением ближайшего окружения С=О-группы. Увеличение интенсивности полосы при 1650 см^–1 свидетельствует о накоплении формальдегида при γ-облучении резиста в результате фрагментации гидроксиметильных остатков в составе фенолформальдегидной смолы.